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第26章 光刻机与人才（第1页）

当前，国家的人才都是干部，有编制的，人才的流动极为困难。

但是很多研究所都是人浮于事，甚至是无所事事，没有资金，没有项目，看着挺悠闲，但是收入很少。

并且，内地的民营经济还没起来，至于周末工程师、造原子弹不如卖茶叶蛋等现象，还没有出现。

电力保证，这是经济账，上面领导算一算，就能算过来了，不涉及原则问题。

但是人才，给资本家的工厂干活，这是原则问题。

这些问题确实让领导为难，但是也没办法。

众多的人才，分散的这里一个，那里一个。

各搞各的，严重缺乏沟通和交流，导致步调也不一致，造成极大地浪费。

这些情况，林天河并没有调查过，却是真实存在的。

但是林天河把晶圆厂开到内地来，如果没办法利用内地的人才，还不如开在港城了。

事实上，当前国内研制光刻机的就有华科院、1445电子所、青华大学、科学院109厂、机电部45所等很多机构院所。

光刻机从发展先后来划分，可以分为接触式、接近式、投影式、步进式和步进扫描式，再到后面的浸润式和euv光刻机。

所谓接触式，是把掩膜板盖在涂有光刻胶的硅片上，打开光源完成曝光。

问题是，光刻胶容易污染掩膜板，且掩膜板易损坏，所以良品率低，成本昂贵。

而接近式中，掩膜板不与硅片接触，在光刻机中加入量测工具，使两者尽量贴近。

但是光有衍射，造成投影边缘模糊，精度下降，有较大的投影误差。

1974年，美国pe推出投影式光刻机，把掩膜板上的图形，经过三次反射，投射在硅片上，可以消除误差，达到理想分辨率。

把良率从接触式的10%提高到70%。

apple

ii使用的6502芯片，只要25美金，就是这种光刻机运用的结果。

但是这种方式，分辨率无法再提高。

gca公司抓住了机会，1978年推出了dsw4800。

光刻机迈进了步进投影式。

原理是把掩膜板上的图形，缩小到原来的14或15，再投射到硅片上，提高了曝光强度和分辨率上限，当光刻机精度进入微米级。

此时，工件台的定位精度和运动速度，就显得极为重要，也让光刻机进入了多工厂合作模式。

dsw4800这台光刻机，售价只要50万美金，而一台ibm大型电脑，差不多也是这个价。

这也说明，在林天河当下，光刻机并不是可望不可及的高科技产品。

国内的光刻机，其实也不差，说到底，当前的光刻机还不是后世asml那种，由几十万个零部件组成的庞大系统。

在1966年时，109厂与上海光学仪器厂协作研制出65型接触式光刻机.到了77年，gk-3型半自动光刻机诞生，仍然是一台接触式光刻机。

78年，在gk-3型的基础上研发了gk-4，还是接触式的。

1980年，青华大学研制的分布式投影光刻机获得成功，精度达到3微米，接近主流水平，intel的8086制程就是3微米。

但是这远称不上先进，国外已经可以做到1微米，只是晶圆厂更新设备没那么快。

而接下来的1981年，华科院又研制了jk-1型半自动接近式光刻机，这不是倒回去了吗？

1982年，科学院109厂研制了kha-75-1，《仪表工业》评价这是一款接近、接触式半自动光刻机！

终于，1985年中电科45所（机械部45所）研制出分步投影光刻机，后世评价称达到dsw4800的水平。

但是，这些产品都没有得到广泛应用。